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芯片巨头，狂飙！
本日（2月12日），在韩国股票市集上，芯片股集体走强。三星电子涨超6%，股价再创历史新高；SK海力士涨超3%，靠近数天前创下的历史高点。
市集分析东谈主士指出，多则利好音尘，刺激了芯片股大涨：一是，OpenAI、三星电子和SK海力士正谋划于3月在韩国启动数据中心开导；二是，三星电子暗示，已启动“业界首款”HBM4芯片的量产，并已向客户托福了交易居品；三是，隔夜好意思光科技股价大涨近10%，提振了市集对芯片股的信心。
当天，在A股市集上，存储芯片见解股也集体异动。适度下昼收盘，石英股份、博杰股份涨停，协创数据涨超15%，江丰电子涨超10%，炬光科技、广立微涨超9%，佰维存储、德邦科技、灿芯股份等涨超7%。
盘后，华虹半导体在港交所公告，公司2025年第四季度销售收入再创历史新高，达6.599亿好意思元，同比增长22.4%，环比增长3.9%。毛利率13.0%，同比上升1.6个百分点，环比着落0.5个百分点。母公司领有东谈主应占利润1750万好意思元，上年同时为亏空2520万好意思元。公司瞻望2026年第一季度销售收入约在6.5亿好意思元至6.6亿好意思元之间，毛利率约在13%至15%之间。
芯片巨头大涨
本日，韩国股市高开高走。适度收盘，Kospi指数涨幅向上3%，并败坏5500点关隘，再创历史新高。
芯片股集体大涨，三星电子涨超6%，再革命高，总市值败坏1000万亿韩元。韩好意思半导体涨近10%，SK海力士涨3.26%。
隔夜，好意思股存储见解集体走强，闪迪涨超10%，好意思光科技涨9.94%。好意思光科技首席财务官 Mark Murphy在周三举行的一场会议上暗示，其HBM4已进入量产，举座经过好于预期，并启动供货给客户。同日，摩根士丹利将好意思光科技方针价从350好意思元上调至450好意思元。
本日（2月12日），三星电子暗示，已启动第六代高带宽内存（HBM4）的初度交易发货，成为公共首家将这种起先进芯片交易化的公司。这次发货时刻比市集预期提前了一周。三星电子暗示，这种内存可为东谈主工智能（AI）计较提供“极致性能”。
三星电子称，这次发货将使该公司偶而“在HBM4市齐集霸占早期动身点地位”。该公司补充谈：“在HBM4告捷推向市集之后，HBM4E的样品积蓄责任瞻望将于2026 年下半年启动，而定制的HBM样品也将按照各自规格于2027年启动托福给客户。”与上一代居品比较，汲取新式HMB4芯片的“单个堆栈总内存带宽擢升了2.7倍”。
日前，三星电子在韩国半导体展高调展示其报复下一代东谈主工智能内存鸿沟的计谋，要点强调客户对第六代高带宽内存（HBM4）的积极反馈，并公布升级版先进封装技艺路子图。
三星电子首席技艺官昨日（2月11日）暗示，HBM4取得的客户反馈“尽头令东谈主欣然”，并披露公司辩论本月启动该居品的大鸿沟量产出货。据悉，三星电子与SK海力士瞻望将向英伟达行将推出的Vera Rubin AI加快器平台供应HBM4。新一代内存芯片数据传输速率达11.7Gbps，特出英伟达11Gbps的技艺条款，创下行业新标杆。
三星电子首席技艺官Song Jai-hyuk暗示，公司集内存、晶圆代工和先进封装于一体的垂直整合架构，使其偶而快速响应AI市集需求。他补充称，包括HBM4E和HBM5在内的下一代居品已进入研发阶段。
在主旨演讲中，Song Jai-hyuk系统阐释了三星以定制化HBM、垂直集成zHBM及搀杂铜键合（Hybrid Copper Bonding）技艺为中枢的内存计谋。
定制化HBM旨在将部分图形处理功能从GPU转移至HBM堆叠中的基础芯片，从而擢升性能效果；zHBM则通过3D堆叠技艺将内存与CPU、GPU等计较芯片垂直集成，以增强带宽并裁汰功耗。为达成上述架构，三星辩论部署搀杂铜键合技艺，该技艺无需微凸块即可达成芯片径直键合，可使芯片更薄、互连距离更短、数据传输更快，突显先进封装在AI芯片性能中的要害作用。
分析师：内存与封装将成为主角
三星这次在韩国半导体展上的技艺展示，偶合行业分析师强调AI基础圭臬增长愈发依赖内存与封装技艺，而非仅靠晶圆产能推广。国际半导体产业协会（SEMI）市集谍报部高档总监曾瑞榆暗示，AI鸿沟创记录的成本支拨并不径直转移为灵验产能。“咱们不雅察到成本干预创历史新高，但单纯加多支拨无法处理瓶颈问题。”曾瑞榆暗示，果然的制约要素正从晶圆产能转向良率、先进封装及认证周期。
据SEMI数据，2025年韩国芯片出口额达1734亿好意思元，同比增长22.2%，其中前年12月单月出口额创207亿好意思元新高，反应韩国在AI加快器供应链中的深度整合。曾瑞榆预测，到2027年公共半导体营收与AI接洽成本支拨均将败坏1万亿好意思元。晶圆厂月产能瞻望从刻下的2500万片增至2030年的约4500万片，2026—2028年间韩国年均晶圆厂投资鸿沟将达400亿好意思元。
曾瑞榆强调，内存与先进封装已成为AI基础圭臬的系统级制约要素：“内存与封装不再是破碎，它们径直决定了AI基础圭臬的推广速率。”
花旗韩国商讨主宰李世澈合计，下一波AI需求可能慢慢从靠近式云表系统转向散播式设备端垄断，搀杂键合等后端工艺技艺正与前端晶圆制造同步成为计谋要点。
近日，高盛亚太区股票策略主宰Timothy Moe将刻下市集环境称为“超常态盈利期”，指出DRAM与NAND均濒临创记录的供应缺口，赋予内存制造商苍劲订价权。他合计，这一环境或畅达本年并延续至来岁，尤其是在AI需求抓续向多行业渗入的布景下。在此模样中，市集焦点靠近于三星能否在高带宽内存（HBM）鸿沟收缩与SK海力士的差距——HBM是AI加快器的中枢组件。
包括微软、亚马逊、Meta、甲骨文公司和Alphabet在内的科技巨头，正辩论在2026年猜度干预向上6000亿好意思元的成本支拨。
韩国科学技艺信息通讯部主座裴庆勋2月11日暗示，OpenAI、三星电子和SK海力士正准备于3月在韩国启动数据中心开导名目。前年10月，韩国政府曾通知，OpenAI辩论与上述两家韩国公司组建结伙企业，在韩国开导两座数据中心，初期总供电容量为20兆瓦。
当地时刻周三，Meta暗示，公司将在印第安纳州投资超100亿好意思元，开导一个数据中心园区，这是Meta迄今最大鸿沟的东谈主工智能基础圭臬投资之一。据悉，该园区瞻望将提供1吉瓦的电力容量，将于2027年底或2028岁首干预运营。
数据中心的大鸿沟开导，对内存制造商带来利好。字据TrendForce数据，由于AI与数据中心需求抓续增长，导致公共存储居品供需进一步失衡，存储原厂议价智商赓续加强，瞻望一季度举座DRAM合约价（包含HBM）将环比高涨80%-85%，而举座NAND Flash合约价则环比高涨55%-60%。由于存储价钱抓续高涨，驱动行业产值逐年加多，瞻望2026年举座存储产业产值将达5516亿好意思元，2027年有望同比增长53%至8427亿好意思元。
祥瑞证券暗示，刻下国外CSP不休加码AI基础圭臬开导抓续拉升企业级存储需求，鼓舞存储行业景气抓续上行，存储主流居品迎来量价皆升态势，磋议到刻下AI抓续高景气，合计本轮存储周期的强度和抓续性有望向上上一轮，接洽产业链企业有望迎来盈利水平清亮擢升。
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